氮化镓半导体如何工作?
氮化镓(GaN)是一种宽带隙半导体,用于高效功率晶体管和集成电路。在GaN晶体的顶部生长氮化铝镓(AlGaN)薄层并在界面施加应力,从而产生二维电子气(2DEG)。2DEG用于在电场作用下,高效地传导电子。2DEG具有高导电性,部分原因是由于电子被困在界面处的非常细小的区域,从而将电子的迁移率从未施加应力前约1000平方厘米/V·s,增加到2DEG区域中的1500至2000平方厘米/V·s。与硅基解决方案相比,氮化镓晶体管及集成电路具有的高电子迁移率,可实现更高的击穿强度、更快的开关、更高的导热率和更低的导通电阻。
氮化镓半导体时代正在不断迈步向前
氮化镓材料推动了具有更高性能的晶体管及集成电路的出现,目前是勇于创新的功率设计工程师的最佳时机,于他们的设计中,采用并发挥氮化镓器件的优势,包括:
- 更低的导通电阻,从而实现更低的传导损耗
- 更快的开关以实现更低的开关损耗
- 更小的电容在对器件进行充电及放电时,可实现更低的损耗
- 需要更少的功率来驱动电路
- 更小的器件可以减小解决方案于印刷电路板上的占板面积
- 更低的成本
使用交互式产品参数和选型工具,可为您的功率转换系统,找出最理想的、基于氮化镓半导体的解决方案。