Growing ecosystem for GaN Power Conversion at EPC

窒化ガリウム（GaN）FETのドライバとコントローラ

窒化ガリウムFETベースの電力変換システムは、シリコン・ベースの代替システムよりも高効率で、電力密度が高く、システム全体のコストを削減できます。これらの優れた特性によって、eGaN FETの性能をさらに強化するゲート・ドライバ、コントローラ、受動部品などのパワー・エレクトロニクス部品のエコシステムが増え続けています。

台湾uPI Semiconductor、米テキサス・インスツルメンツ、米マイクロチップ･テクノロジーなどの半導体サプライヤは、GaNベースの設計に対して拡大し続ける需要を満たすために、ドライバやコントローラを製品化し続けています。

以下は、eGaN FETと互換性のある既存のICのリストです。

GaNの利用法04a：設計の基本：ゲート駆動。 このビデオでは、高性能電力変換回路でGaNトランジスタを使うための基本的な手法について説明します。
 

降圧および 昇圧コンバ ータ向けコ ントローラ

型番 メーカー 機能 Input 概要 周波
MIC2128米マイクロチップ・テクノロジーBuck4.5 - 75 V適応型オンタイム制御と外部ソフト・スタートを備えた75 Vの同期整流型降圧コントローラ270 kHz - 800 kHz
LTC7890米アナログ・デバイセズ降圧5 - 100 Vデュアル、GaN専用100 kHz - 3 MHz
LTC7891米アナログ・デバイセズ降圧5 - 100 Vシングル、GaN専用100 kHz - 3 MHz
ISL81806ルネサスエレクトロニクス降圧5 - 80 Vデュアルまたは2相、GaN専用100 kHz - 2 MHz
ISL81807ルネサスエレクトロニクス昇圧5 - 80 Vデュアルまたは2相、GaN専用100 kHz – 2 MHz
MIC2132 米マイクロチップ・テクノロジー降圧5 - 75 V 2相、超高速過渡応答、最大8相までスタック可能 100 kHz – 1 MHz
RT6190台湾Richtek Technology降圧/昇圧5 - 36 V4-FET、双方向、降圧-昇圧、I2Cインタフェース250 kHz - 1 MHz
LT8390A米アナログ・デバイセズ降圧/昇圧5 - 60 V4-FET, 降圧/昇圧600 kHz - 2 MHz
LM5141米テキサス・インスツルメンツ降圧5 - 65 Vシングル440 kHz - 2.2 MHz
LM5140-Q1 米テキサス・インスツルメンツ降圧5 - 65 V デュアル 440 kHz - 2.2 MHz
dsPIC33CK32MP102米マイクロチップ・テクノロジー降圧または昇圧（ドライバ外付け）100 MHzのシングル・コア、16ビットDSC最大100 MHz（コア）
NCP8111米オン・セミコンダクター降圧（ドライバ外付け）3相、VR12.5-6、デジタル・コントローラ、SVIDおよびI2Cインタフェース250 kHz − 5 MHz
LTC7800米アナログ・デバイセズ降圧5 - 60 Vシングル、低IQ、GaN320 kHz - 2.25 MHz
MIC2103/4 米マイクロチップ・テクノロジー降圧5 - 75 V 適応型オンタイム制御 200 kHz - 600 kHz
ISL8117Aルネサスエレクトロニクス降圧5 - 60 Vシングル100 kHz - 2 MHz
TPS40400 米テキサス・インスツルメンツ降圧5 - 20 V 30 A, PMBus 200 kHz - 2 MHz
TPS53632G 米テキサス・インスツルメンツハーフブリッジ（ドライバ外付け） ハーフブリッジ、D-CAP+コントローラ、48 VのGaN DC/DCに最適化、I2C 300 kHz - 1 MHz

同期整流器向けコントローラ

型番 メーカー 概要 ゲート・ドライバ
UCD7138 米テキサス・インスツルメンツ社 同期整流器用コントローラ 内蔵
TEA1993TS オランダNXPセミコンダクターズ社 同期整流器用コントローラ 内蔵
TEA1995T オランダNXPセミコンダクターズ社 デュアル同期整流器用コントローラ 内蔵（デュアル）
TEA1998TS オランダNXPセミコンダクターズ社 同期整流器用コントローラ 内蔵

ローサイド・ゲート・ドライバ

型番 メーカー 概要 応用例
1EDB7275F 独インフィニオン・テクノロジーズ 絶縁型、シングル、吐き出し5 A/吸い込み9 A、3 kV ---
UCC27611 米テキサス・インスツルメンツ社 4 A/6 A、高速5 V駆動の最適化された単一ゲート・ドライバ EPC9081
LMG1020米テキサス・インスツルメンツ社5 V、7 A / 5 Aで速度60 MHz / 1nsローサイドGaNドライバEPC9144
uP1964台湾のuPI Semiconductor社エンハンスメント・モードGaNトランジスタ向け単一チャネルのゲート・ドライバ---
IXD_604米IXYS社4 Aでデュアルのローサイド超高速ドライバ---
LMG1025-Q1米テキサス・インスツルメンツ社狭パルス用途向けの5 Vの UVLO付き車載用7-A / 5-Aシングル・チャネル・ローサイド・ゲート・ドライバ---
ADuM4120ARIZ 米アナログ・デバイセズ社 2 A出力の単一チャネル絶縁型ドライバ ---
ADuM4121ARIZ 米アナログ・デバイセズ社 2 Aの単一チャネル絶縁型ドライバ ---

ハーフブリッジ・ゲート・ドライバ

型番 メーカー 概要 応用例
LT8418 米アナログ・デバイセズ スマート統合ブートストラップ・スイッチを備えた100 VのハーフブリッジGaNドライバ EVAL-LT8418-BZ
1EDN71x6U インフィニオン 200 V、チップ・セット、4つのゲート駆動電流版 ---
2EDB7259Y インフィニオン 絶縁型、デュアル、吐き出し5 A/吸い込み9 A 、3 kV ---
2EDR7259X インフィニオン 絶縁型、デュアル、吐き出し5 A/吸い込み9 A、5.7 kV ---
NCP51810 米オン・セミコンダクター社 GaNパワー・スイッチ向け150 Vのハーフブリッジ・ゲート・ドライバ EPCに問い合わせ
NCP51820 米オン・セミコンダクター社 -3.5〜+650 V、調整可能なデッドタイム、デュアルLDO EPCに問い合わせ
LM5113-Q1米テキサス・インスツルメンツ社5 A、100 VのeGaN FET用ハーフブリッジ・ドライバEPC9078
LMG1205米テキサス・インスツルメンツ社1.2 A, 5 A, 100 VのeGaN FET用ハーフブリッジ・ドライバEPC9078
uP1966E 台湾のuPI Semiconductor社 80 V eGaN FET用デュアル・チャネル・ゲート・ドライバ EPC9078
LMG1210米テキサス・インスツルメンツ社200 V、1.5 A / 3Aでデッドタイム調整機能を備えたハーフブリッジGaNドライバEPCに問い合わせ
Si827xGB-IM米スカイワークス・ソリューションズ絶縁型、自動車用、最大2.5 kVの絶縁、4A。プログラム可能なデッドタイム。
「GB」と「IM」の接尾辞を使います。		EPC9084
ADuM4221A 米アナログ・デバイセズ社 調整可能なデッドタイム、4 A出力を備えた絶縁型ハーフブリッジ・ドライバ ---
MPQ1918-AEC1 米Monolithic Power Systems 100 V、1.6 A、5 A、ハーフブリッジGaNドライバ、AEC-Q100認定 EPCに問い合わせ
MP8699B 米Monolithic Power Systems GaNパワー・スイッチ向け100 Vのハーフブリッジ・ゲート・ドライバ EPCに問い合わせ
STDRIVEG600 STマイクロエレクトロニクス 600 Vのハーフブリッジ、ローサイド検出抵抗のグラウンド・オフセットが可能 EPC9167

高信頼性用途向けIC

型番 メーカー 概要 機能
FBS-GAM01P-C-PSEEPC Space単一出力のeGaNゲート・ドライバ・モジュールゲート・ドライバ
FBS-GAM02P-C-PSEEPC Space50 Vの耐放射線特性を強化した高速多機能Power eGaN® HEMTドライブHEMTドライバ
FBS-GAM02-P-R50EPC Space50 V / 10 Aの耐放射線特性を強化した多機能パワー・モジュールパワー段
ISL70040SEHルネサスエレクトロニクス 耐放射線特性を強化したローサイドGaN FETドライバゲート・ドライバ
TPS7H6003-SP米テキサス・インスツルメンツ社耐放射線特性、QMLV、200V、ハーフブリッジ GaN ゲート ドライバゲート・ドライバ